23/05/31?現(xiàn)代CMOS技術(shù)發(fā)展迅速，在幾乎所有成像性能上都已超越CCD。然而，對于長曝光成像應(yīng)用，在像素融合、暗電流、長曝光邊角輝光抑制等關(guān)鍵性能指標(biāo)上，市場仍在期待一臺(tái)理想的、能完全替代CCD的CMOS產(chǎn)品。同時(shí)，作為長曝光核心性能保障的相機(jī)制冷腔密封技術(shù)，現(xiàn)階段僅有少數(shù)廠家能完全掌握，這也是深度制冷相機(jī)技術(shù)替代的關(guān)鍵之爭。
FL 9BW是鑫圖針對長曝光應(yīng)用開發(fā)的一款深度制冷CMOS相機(jī)。它采用索尼新一代背照式CMOS技術(shù)和鑫圖先進(jìn)制冷、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造。實(shí)測表明，與市場上現(xiàn)有的CMOS產(chǎn)品相比，F(xiàn)L 9BW長曝光成像能力有突破性提升，在如化學(xué)發(fā)光成像等長曝光應(yīng)用中，可以替代深度制冷CCD。
< 0.0005 e-/p/s 暗電流
可替代冷CCD長曝光應(yīng)用
FL 9BW暗電流達(dá)到了0.0005 e-/p/s甚至更低的水平。鑫圖工程師針對不同成像條件，對FL 9BW 和制冷CCD(695)相機(jī)做了大量的對比測試，結(jié)果顯示：FL 9BW在長達(dá)30鐘的長曝光實(shí)驗(yàn)中，仍能獲取背景干凈，高信噪比(SNR)的圖像。綜合成像性能全面趕超695 CCD。
1. 中等強(qiáng)度信號
圖1
2.?極弱信號
圖2
?-25℃深度制冷
制冷腔可靠性高
制冷腔密封技術(shù)是長曝光成像性能的核心保障。FL 9BW在室溫環(huán)境(22℃)下，僅用風(fēng)冷就實(shí)現(xiàn)了以往水冷技術(shù)才能達(dá)到的-25℃深度制冷水平，且用戶可以自行設(shè)置制冷溫度等級。
圖3：FL 9BW制冷腔工作溫度示意圖。
鑫圖為FL 9BW制冷腔提供3年質(zhì)保。作為國內(nèi)制冷相機(jī)技術(shù)先驅(qū)，鑫圖不僅在制冷腔密封結(jié)構(gòu)方面取得了一系列防水、防塵、防凝露等發(fā)明專利成果，還建立了一整套產(chǎn)業(yè)化質(zhì)量工藝標(biāo)準(zhǔn)，可確保批量品質(zhì)的一致性。鑫圖近5年的數(shù)據(jù)顯示：我們的制冷腔幾乎沒有水汽凝結(jié)等問題，可靠性有保障。
背景均一
定量分析更精準(zhǔn)
FL 9BW同時(shí)集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進(jìn)圖像降噪技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
圖4
SONY 背照式科學(xué)級芯片
綜合成像性能優(yōu)越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS芯片，不僅暗電流達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃剑疫€具有現(xiàn)代CMOS技術(shù)的典型特征：峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，成像速度更快，綜合成像性能十分優(yōu)越。
圖5
鑫圖FL 9BW不僅能完全替代CCD在化學(xué)發(fā)光、天文成像等領(lǐng)域的長曝光應(yīng)用，還可用于對速度，成像視野有高要求的熒光成像，歡迎聯(lián)系我們了解更多功能介紹或申請樣機(jī)免費(fèi)測試。
