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產品介紹

FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應用開發的新一代深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術和鑫圖先進制冷密封工藝、圖像降噪技術聯合打造，不僅長曝光關鍵性能達到了深度制冷CCD的水平，還同時具有現代CMOS高靈敏度、高速、高動態等性能特征，可以完全替代制冷CCD長曝光應用。

<0.0005 e-/p/s暗電流
可替代冷CCD長曝光應用

FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達-25℃，關鍵性能達到了深度制冷CCD相當的水平。在~10分鐘長曝光的條件下，FL 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時間內 (60分鐘)，信噪比都優于695 CCD。
背景均一
定量分析更精準

FL 9BW同時集成了索尼芯片優異的輝光抑制能力和鑫圖先進圖像降噪處理技術，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應用。
SONY 背照式科學級芯片
綜合成像性能優越

FL 9BW采用索尼新一代背照式科學級CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當，峰值量子效率高達92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態范圍更是傳統CCD的4倍以上，綜合成像性能十分優越。